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IPB50N10S3L16ATMA1备选型号: AUIRF3710ZS
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-314 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON50A Tc2.4V @ 60μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN10 nsN-Channel15.4m Ω @ 50A, 10V无卤素4180pF @ 25V64nC @ 10V5ns±20V50A20V100V0.0206Ohm200Anot_compliantROHS3 Compliant含铅-------------- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON59A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼26030-R-XSSO-G2-增强型MOSFET-17 nsN-Channel18m Ω @ 35A, 10V-2900pF @ 25V120nC @ 10V77ns±20V59A20V--240A无SVHCROHS3 Compliant-TinSingle160WSWITCHING56 ns2V100V200 mJ2 V4.83mm10.67mm11.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
| IRFS4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
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