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IPB60R199CPATMA1备选型号: IPB60R380C6ATMA1

IPB60R199CPATMA1

Infineon Technologies

MOSFET, N, TO-263

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
SILICON
16A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
2006
e3
no
不用于新设计
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
未说明
not_compliant
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
139W
DRAIN
10 ns
N-Channel
SWITCHING
199m Ω @ 9.9A, 10V
3.5V @ 660μA
无卤素
1520pF @ 100V
43nC @ 10V
5ns
650V
±20V
16A
20V
600V
ROHS3 Compliant
含铅
-
-
-
-
-
IPB60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2 Tab) TO-263

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
SILICON
10.6A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
2008
e3
no
不用于新设计
1 (Unlimited)
2
-
Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
未说明
not_compliant
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
83W
DRAIN
15 ns
N-Channel
SWITCHING
380m Ω @ 3.8A, 10V
3.5V @ 320μA
无卤素
700pF @ 100V
32nC @ 10V
10ns
-
±20V
10.6A
20V
600V
ROHS3 Compliant
含铅
18 Weeks
HIGH VOLTAGE
9 ns
0.38Ohm
30A
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