Infineon Technologies IPB60R199CPATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

139W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 660μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

139W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 9.9A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1520pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅