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首页 全部分类 IPB60R330P6ATMA1 vs STB18N60DM2

IPB60R330P6ATMA1备选型号: STB18N60DM2

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 制造商包装标识符
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  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPB60R330P6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO263-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ P6
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    330m Ω @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 370μA
    无卤素
    1010pF @ 100V
    22nC @ 10V
    ±20V
    12A
    TO-236AB
    600V
    0.33Ohm
    33A
    247 mJ
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB18N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    12A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ DM2
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    295m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    ±25V
    12A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    D2PAK-0079457
    STB18N
    1
    110W
    13.5 ns
    4V
    25V
    600V
    150°C
    4.83mm
    无SVHC
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