STMicroelectronics STB18N60DM2
- 收藏
- 对比
STB18N60DM2
2381-STB18N60DM2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
--最小包装量--
STB18N60DM2详情
STMicroelectronics STB18N60DM2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
制造商包装标识符
D2PAK-0079457
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
90W Tc
Turn Off Delay Time
9.5 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STB18N
通道数量
1
功率耗散
110W
接通延迟时间
13.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
295m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
800pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STB18N60DM2拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。