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首页 全部分类 IPB64N25S320ATMA1 vs AUIRFS4127

IPB64N25S320ATMA1备选型号: AUIRFS4127

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPB64N25S320ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    PG-TO263-3-2
    64A Tc
    4V @ 270μA
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    18 ns
    N-Channel
    20mOhm @ 64A, 10V
    无卤素
    7000pF @ 25V
    89nC @ 10V
    20ns
    250V
    ±20V
    12 ns
    64A
    20V
    250V
    7nF
    17.5mOhm
    20 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS4127
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    72A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    22m Ω @ 44A, 10V
    -
    5380pF @ 50V
    150nC @ 10V
    -
    200V
    ±20V
    -
    72A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2
    EAR99
    FAST SWITCHING, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    375mW
    DRAIN
    SWITCHING
    0.022Ohm
    200V
    250 mJ
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AUIRFS4127 AUIRFS4127 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 对比