Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1
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IPB64N25S320ATMA1
1211-IPB64N25S320ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
--最小包装量--
IPB64N25S320ATMA1详情
Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
64A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 270μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 64A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
89nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
250V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
64A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
250V
输入电容
7nF
漏源电阻
17.5mOhm
最大rds
20 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB64N25S320ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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