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首页 全部分类 IPB65R099C6ATMA1 vs FCB110N65F

IPB65R099C6ATMA1备选型号: FCB110N65F

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPB65R099C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    12 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    4
    SILICON
    3.5V @ 1.2mA
    77 ns
    2008
    CoolMOS™
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    no
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 12.8A, 10V
    无卤素
    2780pF @ 100V
    127nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    6 ns
    38A
    20V
    650V
    0.099Ohm
    115A
    845 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCB110N65F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
    13 Weeks
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    5V @ 3.5mA
    1
    -
    FRFET®, SuperFET® II
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    245
    30
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    31 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 17.5A, 10V
    -
    4895pF @ 100V
    145nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    5.7 ns
    35A
    20V
    -
    0.11Ohm
    105A
    809 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    -
    1.31247g
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    Single
    650V
    650V
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FCB110N65F FCB110N65F ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK 对比