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IPB65R150CFDAATMA1备选型号: STB34N50DM2AG
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH TO263-318 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON22.4A Tc2008Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Tape & Reel (TR)-40°C~150°C TJe3no活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 9.3A, 10V4.5V @ 900μA无卤素2340pF @ 100V86nC @ 10V±20V22.4A650V0.15Ohm72A614 mJROHS3 Compliant含铅-----
MOSFET N-CH 500V 26A17 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-SILICON26A Tc-Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ--活跃1 (Unlimited)2--SINGLE鸥翼未说明-未说明-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING120m Ω @ 12.5A, 10V5V @ 250μA-1850pF @ 100V44nC @ 10V±25V26A-0.12Ohm104A700 mJROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99STB34N500V500V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STB34N50DM2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 26A | 对比 |
| IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
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