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IPB65R190CFDAATMA1备选型号: STB20N65M5
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 输入电容
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- 无铅
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- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH TO263-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK (TO-263AB)17.5A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™2012活跃1 (Unlimited)150°C-40°CN-Channel190mOhm @ 7.3A, 10V4.5V @ 700μA无卤素1850pF @ 100V68nC @ 10V650V±20V17.5A650V1.85nF190 mΩROHS3 Compliant含铅-------------------
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-18A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V-活跃1 (Unlimited)--N-Channel190m Ω @ 9A, 10V5V @ 250μA-1434pF @ 100V36nC @ 10V650V±25V18A---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)SILICON2EAR99190MOhm鸥翼STB20NR-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING7.5ns7.5 ns25V710V72A270 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
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