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IPB65R280E6ATMA1备选型号: IPB65R225C7ATMA1
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 功率耗散
- JEDEC-95代码
MOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-212 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON13.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ E62008noDiscontinued1 (Unlimited)2鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING280m Ω @ 4.4A, 10V3.5V @ 440μA无卤素950pF @ 100V45nC @ 10V9ns±20V9 ns13.8A30V650V0.28Ohm650V290 mJROHS3 Compliant含铅----- Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3.949996gSILICON11A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72008-Discontinued1 (Unlimited)2鸥翼未说明not_compliant未说明-R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING225m Ω @ 4.8A, 10V4V @ 240μA无卤素996pF @ 400V20nC @ 10V6ns±20V10 ns11A20V650V0.225Ohm650V48 mJROHS3 Compliant含铅e3Tin (Sn)63WTO-252
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
 | STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
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