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1

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10

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100

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500

￥8.871931
1000

￥8.369749

STMicroelectronics STB10N65K3

Name: STB10N65K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STB10N65K3
Price: 10.57 USD
Availability: InStock
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对比

型号

STB10N65K3

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STB10N65K3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected

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STB10N65K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected

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STMicroelectronics STB10N65K3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

150W Tc
Turn Off Delay Time

44 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Cut Tape (CT)
系列

SuperMESH3™
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
基本部件号

STB10N6
通道数量

1
元素配置

Single
接通延迟时间

14.5 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 3.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1180pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V
上升时间

14ns
Vgs（最大值）

±30V
下降时间（典型值）

35 ns
连续放电电流(ID)

10A
栅极至源极电压(Vgs)

30V
漏源击穿电压

650V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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