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首页 全部分类 IPB80N06S407ATMA2 vs FDB13AN06A0

IPB80N06S407ATMA2备选型号: FDB13AN06A0

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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPB80N06S407ATMA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.946308g
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    4V @ 40μA
    4500pF @ 25V
    56nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    5 ns
    80A
    20V
    60V
    320A
    7.1mOhm
    7.1 mΩ
    4.4mm
    10mm
    9.25mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB13AN06A0
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.31247g
    SILICON
    10.9A Ta 62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    115W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    4V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    96ns
    ±20V
    26 ns
    62A
    20V
    -
    -
    -
    -
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    3
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    13.5MOhm
    60V
    62A
    不合格
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 62A, 10V
    4V
    60V
    60V
    56 mJ
    4 V
    无SVHC
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