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IPB80N08S2L07ATMA1备选型号: FDB16AN08A0
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- 底架
- 质量
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- 元素配置
- 操作模式
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- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 下降时间（典型值）
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-26310 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB380A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明N-Channel6.8m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA无卤素5400pF @ 25V233nC @ 10V±20V75VROHS3 Compliant含铅-----------------------
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R8 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-9A Ta 58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)---N-Channel16m Ω @ 58A, 10V4V @ 250μA-1857pF @ 25V42nC @ 10V±20V-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)表面贴装1.31247gSILICONyes275V鸥翼58AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN8 nsSWITCHING82ns30 ns58A20V9A75V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
| FDB16AN08A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IRFS7787PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | 对比 |
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