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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.973282
10
¥24.503097
100
¥23.116129
500
¥21.807669
1000
¥20.573272
Infineon Technologies IPB80N08S2L07ATMA1
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- 对比
IPB80N08S2L07ATMA1
1211-IPB80N08S2L07ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB80N08S2L07ATMA1详情
Infineon Technologies IPB80N08S2L07ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
233nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
最大双电源电压
75V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPB80N08S2L07ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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