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IPB80P03P4L04ATMA1备选型号: IPB90N06S4L04ATMA2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 通道数量
- 元素配置
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-314 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON137W Tc2V @ 253μAOptiMOS™2008-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN17 nsP-Channel4.1m Ω @ 80A, 10V无卤素11300pF @ 25V160nC @ 10V11ns30V+5V, -16V40 ns80A5V-30V0.007Ohm410 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-------- MOSFET N-CH 60V 90A TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON90A Tc2.2V @ 90μAAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™2009-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN21 nsN-Channel3.7m Ω @ 90A, 10V-13000pF @ 25V170nC @ 10V6ns-±16V20 ns90A16V60V--not_compliantROHS3 Compliant无铅1.946308gyes1Single4.4mm10mm9.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 100A TO263 | 对比 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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