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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.736465
10
¥20.506099
100
¥19.345377
500
¥18.250354
1000
¥17.217315
Infineon Technologies IPB90N06S4L04ATMA2
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- 对比
IPB90N06S4L04ATMA2
1211-IPB90N06S4L04ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
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¥
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IPB90N06S4L04ATMA2详情
Infineon Technologies IPB90N06S4L04ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.946308g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Turn Off Delay Time
140 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 90μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
170nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
60V
高度
4.4mm
长度
10mm
宽度
9.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPB90N06S4L04ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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