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IPB80P03P4L07ATMA1备选型号: IPB80N06S4L07ATMA2
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-26314 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc2V @ 130μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN8 nsP-ChannelSWITCHING6.9m Ω @ 80A, 10V无卤素5700pF @ 25V80nC @ 10V4ns30V+5V, -16V60 ns80A5V-30V0.0069OhmROHS3 Compliant含铅---------- MOSFET N-CH 60V 80A TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON79W Tc2.2V @ 40μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2009活跃1 (Unlimited)2---鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN10 nsN-Channel-6.7m Ω @ 80A, 10V-5680pF @ 25V75nC @ 10V3ns-±16V8 ns80A16V60V0.0064OhmROHS3 Compliant无铅1.946308gyes1Single60V9.25mm4.4mm10mmnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7762TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | 对比 |
 | FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| IRFS7762PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | 对比 |
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