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首页 全部分类 IPD035N06L3GATMA1 vs FDD86567-F085

IPD035N06L3GATMA1备选型号: FDD86567-F085

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 制造商包装标识符
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IPD035N06L3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 90A, 10V
    2.2V @ 93μA
    13000pF @ 30V
    79nC @ 4.5V
    60V
    ±20V
    90A
    TO-252AA
    162A
    60V
    165 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86567-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    260
    not_compliant
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    4950pF @ 30V
    82nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    -
    -
    60V
    115 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    260.37mg
    MKT-TO252A03REV11
    8541.29.00.95
    Single
    227W
    0.0032Ohm
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