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首页 全部分类 IPD038N04NGBTMA1 vs IPD031N03LGBTMA1

IPD038N04NGBTMA1备选型号: IPD031N03LGBTMA1

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPD038N04NGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    SINGLE
    鸥翼
    260
    unknown
    40
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    94W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 45μA
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    40V
    ±20V
    90A
    TO-252AA
    20V
    0.0038Ohm
    400A
    40V
    55 mJ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD031N03LGBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    94W
    -
    N-Channel
    -
    3.1mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5300pF @ 15V
    51nC @ 10V
    30V
    ±20V
    90A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    PG-TO252-3
    175°C
    -55°C
    9 ns
    6ns
    5 ns
    30V
    5.3nF
    3.1mOhm
    3.1 mΩ
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