IPD25N06S240ATMA1备选型号: DMN4015LK3-13
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 宽度
- 长度
- 高度
- MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON29A Tc4V @ 26μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006Discontinued1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN8 nsN-Channel40m Ω @ 13A, 10V无卤素513pF @ 25V18nC @ 10V20ns±20V19 ns29A20V55V0.04Ohm116A80 mJ无ROHS3 Compliant含铅--------------
- MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-4.5V 10V3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2009Discontinued1 (Unlimited)--------7.8 nsN-Channel15mOhm @ 14A, 10V-2072pF @ 20V42nC @ 10V18.5ns±20V14.9 ns20.8A20V----无ROHS3 Compliant-TO-252-33.949996g150°C-55°C1Single40V40V2.072nF20mOhm15 mΩ6.22mm6.73mm2.39mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 对比 |
![]() | IPD26N06S2L35ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | 对比 |





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