IPD50N04S308ATMA1备选型号: NTD4809NAT4G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-25226 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET68WDRAIN11 nsN-Channel7.5m Ω @ 50A, 10V4V @ 40μA无卤素2350pF @ 25V35nC @ 10V7ns±20V6 ns50A20V40V0.0075Ohm200AROHS3 Compliant含铅--------
- MOSFET N-CH 30V 9A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-9.6A Ta 58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2007-Obsolete1 (Unlimited)-----------1.3W--N-Channel9mOhm @ 30A, 10V2.5V @ 250μA-1456pF @ 12V13nC @ 4.5V-±20V-11.5A20V---符合RoHS标准-3DPAK175°C-55°C30V1.456nF9 mΩ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4809NAT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK | 对比 | |
| NTD65N03RT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK | 对比 |



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