IPD50N04S308ATMA1备选型号: NTD50N03RT4G

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  • 工厂交货时间
  • 底架
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  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 40μA
    无卤素
    2350pF @ 25V
    35nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    6 ns
    50A
    20V
    40V
    0.0075Ohm
    200A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    1.5W Ta 50W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    50W
    -
    -
    N-Channel
    12m Ω @ 30A, 11.5V
    2V @ 250μA
    -
    750pF @ 12V
    15nC @ 11.5V
    84ns
    ±20V
    6.8 ns
    45A
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    4
    yes
    25V
    45A
    4
    Single
    25V
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