IPD50R1K4CEAUMA1备选型号: IPD50R2K0CEBTMA1
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 极性/通道类型
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA118 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.1A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2008e3yes活跃3 (168 Hours)EAR99Tin (Sn)not_compliantSingle25W6.5 nsN-Channel1.4 Ω @ 900mA, 13V3.5V @ 70μA178pF @ 100V8.2nC @ 10V6ns500V±20V30 ns3.1A30V550V2.41mm6.73mm6.22mmROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-26 Weeks表面贴装-TO-252-3321 ns-Tape & Reel (TR)-2013-noObsolete3 (168 Hours)EAR99--Single-6 ns-----5ns500V-38 ns2.4A30V-2.41mm6.73mm6.22mm符合RoHS标准3.949996g150°C-55°C22W未说明未说明1N-CHANNEL124pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR2Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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