Infineon Technologies IPD50R2K0CEBTMA1
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IPD50R2K0CEBTMA1
1211-IPD50R2K0CEBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3
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MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
1最小包装量--
IPD50R2K0CEBTMA1详情
Infineon Technologies IPD50R2K0CEBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3
引脚数
3
质量
3.949996g
Turn Off Delay Time
21 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
22W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
6 ns
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
500V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
2.4A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
124pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
2Ohm
高度
2.41mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD50R2K0CEBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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