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首页 全部分类 IPD50R380CEAUMA1 vs IPD60R380P6ATMA1

IPD50R380CEAUMA1备选型号: IPD60R380P6ATMA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 下降时间（典型值）
  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • Infineon Technologies
    IPD50R380CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    14.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    98W
    DRAIN
    7.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 3.2A, 13V
    3.5V @ 260μA
    无卤素
    584pF @ 100V
    24.8nC @ 10V
    ±20V
    14.1A
    3V
    20V
    500V
    500V
    150°C
    超级交界处
    2.55mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R380P6ATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPD60R380P6Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    10.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    380mOhm @ 3.8A, 10V
    4.5V @ 320μA
    -
    877pF @ 100V
    19nC @ 10V
    ±20V
    10.6A
    -
    20V
    600V
    600V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    PG-TO252-3
    3.949996g
    150°C
    -55°C
    6ns
    600V
    7 ns
    877pF
    342mOhm
    380 mΩ
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