Infineon Technologies IPD50R380CEAUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

98W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 260μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

98W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.2A, 13V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

584pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

14.1A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

漏源击穿电压

500V

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

超级交界处

高度

2.55mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅