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首页 全部分类 IPD50R3K0CEAUMA1 vs IPD60R2K1CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1备选型号: IPD60R2K1CEAUMA1

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • Infineon Technologies
    IPD50R3K0CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    26W Tc
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2013
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 400mA, 13V
    3.5V @ 30μA
    无卤素
    84pF @ 100V
    4.3nC @ 10V
    ±20V
    1.7A
    500V
    3Ohm
    4.1A
    18 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R2K1CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    2.3A Tc
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    -40°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1 Ω @ 760mA, 10V
    3.5V @ 60μA
    无卤素
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    ±20V
    2.3A
    600V
    -
    6A
    11 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    DRAIN
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