Infineon Technologies IPD50R3K0CEAUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

26W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2013

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 400mA, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 30μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

84pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.3nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

1.7A

最大双电源电压

500V

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4.1A

雪崩能量等级（Eas）

18 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅