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首页 全部分类 IPD50R650CEAUMA1 vs IPD60R600C6ATMA1

IPD50R650CEAUMA1备选型号: IPD60R600C6ATMA1

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  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
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  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD50R650CEAUMA1
    Infineon Technologies
    CONSUMER
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    3.949996g
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    47W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    47W
    DRAIN
    6 ns
    SWITCHING
    5ns
    500V
    N-CHANNEL
    13 ns
    6.1A
    20V
    500V
    342pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    650mOhm
    650 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R600C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    7.3A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    -
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    9ns
    -
    -
    13 ns
    7.3A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™ C6
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    ±20V
    600V
    0.6Ohm
    无铅
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