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首页 全部分类 IPD60R1K0CEAUMA1 vs IPN60R3K4CEATMA1

IPD60R1K0CEAUMA1备选型号: IPN60R3K4CEATMA1

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  • 终端形式
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  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K0CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R1K0CEAUMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    150°C
    -40°C
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    N-CHANNEL
    TO-252
    600V
    12A
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    860mOhm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPN60R3K4CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
    18 Weeks
    表面贴装
    2.6A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    SOT-223-3
    3
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    CoolMOS™
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    3.4 Ω @ 500mA, 10V
    3.5V @ 40μA
    93pF @ 100V
    4.6nC @ 10V
    ±20V
    2.6A
    3V
    600V
    超级交界处
    无SVHC
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