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1

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10

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100

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500

￥2.715628
1000

￥2.561913

Infineon Technologies IPD60R1K0CEAUMA1

Name: IPD60R1K0CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD60R1K0CEAUMA1
Price: 3.23 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD60R1K0CEAUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD60R1K0CEAUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R1K0CEAUMA1

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IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD60R1K0CEAUMA1

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IPD60R1K0CEAUMA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IPD60R1K0CEAUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
Number of Elements

1
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

2
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-40°C
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
JESD-30代码

R-PSSO-G2
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
漏源电压 (Vdss)

600V
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-252
最大双电源电压

600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A
雪崩能量等级（Eas）

46 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻

860mOhm
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

含铅

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IPD60R1K0CEAUMA1拓展信息

热销零件