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首页 全部分类 IPD60R1K5CEAUMA1 vs IPN60R3K4CEATMA1

IPD60R1K5CEAUMA1备选型号: IPN60R3K4CEATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K5CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    5A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1.1A, 10V
    3.5V @ 90μA
    无卤素
    200pF @ 100V
    9.4nC @ 10V
    650V
    ±20V
    600V
    5A
    8A
    26 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPN60R3K4CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-223-3
    SILICON
    2.6A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4 Ω @ 500mA, 10V
    3.5V @ 40μA
    -
    93pF @ 100V
    4.6nC @ 10V
    600V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    未说明
    未说明
    2.6A
    3V
    600V
    超级交界处
    无SVHC
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