Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

49W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 90μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

最大双电源电压

600V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅