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首页 全部分类 IPD60R2K0C6ATMA1 vs IPD60R1K5CEATMA1

IPD60R2K0C6ATMA1备选型号: IPD60R1K5CEATMA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD60R2K0C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 760mA, 10V
    3.5V @ 60μA
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    ±20V
    50 ns
    2.4A
    20V
    600V
    2Ohm
    6A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K5CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    3.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2015
    yes
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    2
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1.1A, 10V
    3.5V @ 90μA
    200pF @ 100V
    9.4nC @ 10V
    ±20V
    20 ns
    3.1A
    20V
    -
    -
    8A
    ROHS3 Compliant
    3.949996g
    EAR99
    1
    Single
    7ns
    5A
    600V
    26 mJ
    无铅
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