Infineon Technologies IPD60R1K5CEATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

28W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 90μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.4nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

3.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅