IPD60R385CPATMA1备选型号: IPD60R380P6ATMA1
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 9A TO-2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-33.949996g9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CP2008不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C600V9A183W10 nsN-Channel385mOhm @ 5.2A, 10V3.5V @ 340μA790pF @ 100V22nC @ 10V5ns600V±20V5 ns9A20V600V600V790pF350mOhm385 mΩROHS3 Compliant无铅
- INFINEON IPD60R380P6Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-33.949996g10.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ P62008活跃1 (Unlimited)150°C-55°C--1-12 nsN-Channel380mOhm @ 3.8A, 10V4.5V @ 320μA877pF @ 100V19nC @ 10V6ns600V±20V7 ns10.6A20V600V600V877pF342mOhm380 mΩROHS3 Compliant-
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R380P6Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
![]() | IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2 | 对比 |




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