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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥20.774244
10
¥19.598347
100
¥18.489005
500
¥17.442455
1000
¥16.455146
Infineon Technologies IPD60R385CPATMA1
- 收藏
- 对比
IPD60R385CPATMA1
1211-IPD60R385CPATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD60R385CPATMA1详情
Infineon Technologies IPD60R385CPATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
83W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ CP
已出版
2008
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
600V
额定电流
9A
通道数量
1
功率耗散
83W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
385mOhm @ 5.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 340μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
790pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
600V
输入电容
790pF
漏源电阻
350mOhm
最大rds
385 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPD60R385CPATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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