登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

IPD60R3K4CEAUMA1备选型号: BSS126H6327XTSA2

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3

18 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SILICON
2.6A Tc
-40°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2013
e3
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
not_compliant
R-PSSO-G2
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
DRAIN
N-Channel
SWITCHING
3.4 Ω @ 500mA, 10V
3.5V @ 40μA
无卤素
93pF @ 100V
4.6nC @ 10V
650V
±20V
600V
3.9A
6 mJ
ROHS3 Compliant
含铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BSS126H6327XTSA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

10 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
21mA Ta
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2003
-
活跃
1 (Unlimited)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
N-Channel
-
500Ohm @ 16mA, 10V
1.6V @ 8μA
无卤素
28pF @ 25V
2.1nC @ 5V
600V
±20V
600V
-
-
ROHS3 Compliant
无铅
Tin
3
SOT-23-3
SIPMOS®
700Ohm
150°C
-55°C
Single
500mW
6.1 ns
9.7ns
17mA
20V
21pF
耗尽模式
700Ohm
700 mΩ
1mm
2.9mm
1.3mm
无
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	BSS127H6327XTSA2	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	对比
	BSS127S-7	Diodes Incorporated	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23	对比
	IPN60R3K4CEATMA1	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	SOT-223-3	MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223	对比