Infineon Technologies BSS126H6327XTSA2
- 收藏
- 对比
BSS126H6327XTSA2
1211-BSS126H6327XTSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BSS126H6327XTSA2详情
Infineon Technologies BSS126H6327XTSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2003
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
700Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
500mW
接通延迟时间
6.1 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 8μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
28pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.1nC @ 5V
上升时间
9.7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
17mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
输入电容
21pF
场效应管特性
耗尽模式
漏源电阻
700Ohm
最大rds
700 mΩ
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS126H6327XTSA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。