Infineon Technologies BSS127H6327XTSA2
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BSS127H6327XTSA2
1211-BSS127H6327XTSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BSS127H6327XTSA2详情
Infineon Technologies BSS127H6327XTSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
6.1 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
500 Ω @ 16mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 8μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
28pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1nC @ 10V
上升时间
9.7ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
21mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
600Ohm
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS127H6327XTSA2拓展信息
Infineon Technologies
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