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首页 全部分类 IPD60R520CPATMA1 vs SPD07N60C3BTMA1

IPD60R520CPATMA1备选型号: SPD07N60C3BTMA1

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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD60R520CPATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    6.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    17 ns
    N-Channel
    520mOhm @ 3.8A, 10V
    3.5V @ 250μA
    630pF @ 100V
    31nC @ 10V
    12ns
    600V
    ±20V
    16 ns
    6.8A
    20V
    600V
    630pF
    520 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD07N60C3BTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    6 ns
    N-Channel
    600m Ω @ 4.6A, 10V
    3.9V @ 350μA
    790pF @ 25V
    27nC @ 10V
    3.5ns
    650V
    ±20V
    7 ns
    7.3A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    52 Weeks
    SILICON
    yes
    2
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    0.6Ohm
    600V
    230 mJ
    无铅
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