Infineon Technologies IPD65R420CFDATMA1
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IPD65R420CFDATMA1
1211-IPD65R420CFDATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R
1最小包装量--
IPD65R420CFDATMA1详情
Infineon Technologies IPD65R420CFDATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
83.3W Tc
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
83.3W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 300μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31.5nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
8.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
输入电容
870pF
最大rds
420 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPD65R420CFDATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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