您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD60R600C6ATMA1 vs IPD60R460CEATMA1

IPD60R600C6ATMA1备选型号: IPD60R460CEATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPD60R600C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    13 ns
    7.3A
    20V
    600V
    0.6Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R460CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3.949996g
    SILICON
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2014
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    10 ns
    9.1A
    20V
    -
    0.46Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    yes
    EAR99
    Single
    600V
    26A
    600V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD60R750E6ATMA1 IPD60R750E6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比
NDD60N550U1T4G NDD60N550U1T4G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO 对比
IPD60R460CEATMA1 IPD60R460CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2 对比