您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD60R650CEAUMA1 vs IPN60R2K1CEATMA1

IPD60R650CEAUMA1备选型号: IPN60R2K1CEATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD60R650CEAUMA1
    Infineon Technologies
    CONSUMER
    18 Weeks
    表面贴装
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -40°C
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    600V
    N-CHANNEL
    TO-252
    600V
    19A
    133 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    540mOhm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPN60R2K1CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
    18 Weeks
    表面贴装
    3.7A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    SOT-223-3
    3
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    CoolMOS™
    260
    未说明
    N-Channel
    2.1 Ω @ 800mA, 10V
    3.5V @ 60μA
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    ±20V
    3.7A
    3V
    600V
    超级交界处
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FQD1N60CTM FQD1N60CTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-223-3 MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 对比