注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.785093
10
¥5.457635
100
¥5.148712
500
¥4.857275
1000
¥4.582336
Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1
- 收藏
- 对比
IPD60R650CEAUMA1
1211-IPD60R650CEAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

CONSUMER
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD60R650CEAUMA1详情
Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大双电源电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
19A
雪崩能量等级(Eas)
133 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
540mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPD60R650CEAUMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。