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IPD60R750E6ATMA1备选型号: SPD06N60C3ATMA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
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- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-25212 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-33.949996g5.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ E62011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C19 nsN-Channel750mOhm @ 2A, 10V3.5V @ 170μA373pF @ 100V17.2nC @ 10V7ns600V±20V12 ns5.7A20V600V373pF680mOhm750 mΩ符合RoHS标准----- Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-3-1-6.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C-7 nsN-Channel750mOhm @ 3.9A, 10V3.9V @ 260μA620pF @ 25V31nC @ 10V12ns600V±20V10 ns6.2A20V600V620pF680mOhm750 mΩROHS3 Compliant650V6.2A74W无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPD06N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
 | IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3 | CONSUMER | 对比 |
 | NDD60N745U1T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3 | 对比 |
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