您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD65R190C7ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1备选型号: IPD65R225C7ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPD65R190C7ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    PG-TO252-3
    13A Tc
    CoolMOS™ C7
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    11 ns
    N-Channel
    190mOhm @ 5.7A, 10V
    4V @ 290μA
    无卤素
    1150pF @ 400V
    23nC @ 10V
    650V
    ±20V
    9 ns
    13A
    20V
    650V
    1.15nF
    168mOhm
    190 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R225C7ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    11A Tc
    CoolMOS™ C7
    2013
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    9 ns
    N-Channel
    225m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 240μA
    无卤素
    996pF @ 400V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    10 ns
    11A
    20V
    650V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    e3
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    SWITCHING
    6ns
    0.225Ohm
    48 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD12NM50ND STD12NM50ND STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 11A DPAK 对比
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R 对比
IPD65R250C6XTMA1 IPD65R250C6XTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比