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首页 全部分类 IPD65R190C7ATMA1 vs STD12NM50ND

IPD65R190C7ATMA1备选型号: STD12NM50ND

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD65R190C7ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    PG-TO252-3
    13A Tc
    CoolMOS™ C7
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    11 ns
    N-Channel
    190mOhm @ 5.7A, 10V
    4V @ 290μA
    无卤素
    1150pF @ 400V
    23nC @ 10V
    650V
    ±20V
    9 ns
    13A
    20V
    650V
    1.15nF
    168mOhm
    190 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD12NM50ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    11A Tc
    FDmesh™ II
    -
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    850pF @ 50V
    30nC @ 10V
    500V
    ±25V
    17 ns
    11A
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    STD12
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    SWITCHING
    15ns
    TO-252AA
    44A
    500V
    无
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