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IPD65R1K5CEAUMA1备选型号: SPN02N60C3
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- 安装类型
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON1-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1A, 10V3.5V @ 100μA无卤素225pF @ 100V10.5nC @ 10V700V±20V650V8.3A26 mJROHS3 Compliant含铅----------------
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AASILICON400mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)4EAR99DUAL鸥翼未说明-未说明--增强型MOSFET-N-Channel-2.5 Ω @ 1.1A, 10V3.9V @ 80μA-200pF @ 25V13nC @ 10V-±20V---符合RoHS标准无铅4CoolMOS™e3Matte Tin (Sn)650V400mA4不合格Single1.8W3ns3 ns400mA20V600V3 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD65R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V TO-252 | 对比 |
| SPN02N60C3 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 | 对比 |
 | STD9HN65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK | 对比 |
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